Transistor Irfp250 - Irfp250n Power Mosfet Ir

Descrição

Transistor Irfp250 - Irfp250n Power Mosfet Ir

ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS:

Pacote TO-247-3

Polaridade do transistor N

Tensão máxima da fonte de drenagem 200 V

Corrente Máxima de Drenagem Contínua 30 A

Tensão máxima da fonte da porta ± 20V

Dissipação de energia 214 W

Número de elementos por chip 1

Tensão máxima para frente 200VDC

Potência de saída 214W

Pico de corrente de pico não repetitivo 100A

Corrente reversa máxima 25uA

Modo de Canal Melhoria do canal N

Tempo de recuperação reversa de pico 78ns

Tipo de Canal N

Tensão reversa de pico repetitivo 200VDC

Configuração solteiro

Resistência máxima da fonte de drenagem 0,075 Ohms a 10V

Categoria Power MOSFET

Corrente Máxima para Frente 30A

Tempo Típico de Queda 33ns

Carga típica do portão @ Vgs 123nC @ 10V

Capacitância de entrada típica @ Vds 2159pF @ 25V

Tempo Típico de Subida 43ns

Tempo de atraso típico para desligar 41ns

Tempo de atraso típico para ligar 14ns

Temperatura Mínima de Operação -55 ° C

Temperatura Máxima de Operação 175 ° C

Montagem Através do orifício

Embalagem Volume

Alfinetes 3

Família IRFP250N

Largura 5,3 mm

Altura 20,3 mm

Comprimento do Produto 15,9 mm

Tipo de Produto MOSFET