Transistor Mosfet Irfz 48n

Descrição

Ficha Técnica

Categoria de produto: MOSFET

Tecnologia: Si

Estilo de montagem: Through Hole

Caixa / Gabinete: TO-220-3

Polaridade do transistor: N-Channel

Número de canais: 1 Channel

Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 55 V

Id - Corrente de drenagem contínua: 64 A

Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 14 mOhms

Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V

Tensão de limite porta e fonte: 4 V

Qg - Carga na porta: 54 nC

Temperatura operacional mínima: - 55 C

Temperatura operacional máxima: + 175 C

Pd - Dissipação de potência: 94 W

Modo de canal: Enhancement

Embalagem: Tube

Configuração: Single

Altura: 15.65 mm

Comprimento: 10 mm

Tipo de transistor: 1 N-Channel

Largura: 4.4 mm

Marca: Infineon / IR

Tipo de Produto: MOSFET

Quantidade do pacote de fábrica: 1000

Subcategoria: MOSFETs