Transistor 2n5551 To-92

Descrição

Transistor 2n5551 To-92

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Especificações

Fabricante: onsemi

Categoria de Produto: Transistores bipolares - BJT

RoHS: Detalhes

Estilo de montagem: Através do orifício

Embalagem / Caixa: TO-92-3

Polaridade do transistor: NPN

Configuração: Solteiro

Coletor - Tensão do Emissor VCEO Máx .: 160 V

Coletor - Tensão Base VCBO: 180 V

Emissor - Tensão Base VEBO: 6 V

Tensão de saturação do coletor-emissor: 0,2 V

Corrente máxima do coletor DC: 0,6 A

Pd - Dissipação de energia: 625 mW

Produto de ganho de largura de banda fT: 300 MHz

Temperatura Mínima de Operação: - 55 C

Temperatura máxima de operação: + 150 C

Series: 2N5551

Embalagem: Volume

Ganho de corrente DC hFE máx .: 250

Altura: 4,7 mm

Comprimento: 4,7 mm

Tecnologia: Si

Largura: 3,93 mm

Marca: onsemi / Fairchild

Corrente de coletor contínua: 0,6 A

Coletor DC / Ganho Base Hfe Min: 80

Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares

Subcategoria: Transistores

Unidade de peso: 200 mg

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