Transistor 2n5416 - 2n 5416 Pnp 350v

Descrição

Transistor 2n5416 - 2n 5416 Pnp 350v

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Especificações

Fabricante: STMicroelectronics

Categoria de Produto: Transistores bipolares - BJT

Estilo de montagem: Através do orifício

Embalagem / Caixa: TO-39-3

Polaridade do transistor: PNP

Configuração: Solteiro

Coletor - Tensão do Emissor VCEO Máx .: - 300 V

Coletor - Tensão Base VCBO: 350 V

Emissor - Tensão Base VEBO: - 6 V

Tensão de saturação do coletor-emissor: - 2,5 V

Corrente máxima do coletor DC: 1 A

Pd - Dissipação de energia: 10 W.

Produto de ganho de largura de banda fT: 15 MHz

Temperatura Mínima de Operação: - 65 C

Temperatura máxima de operação: + 200 C

Series: 2N5416

Embalagem: Volume

Ganho de corrente DC hFE máx .: 120

Altura: 1,5 mm

Comprimento: 9,4 mm

Tecnologia: E

Largura: 9,4 mm

Marca: STMicroelectronics

Corrente de coletor contínua: - 1 A

Coletor DC / Ganho Base Hfe Min: 30

Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares

Subcategoria: Transistores

Unidade de peso: 2.400 g

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