Transistor 2n5415 Metálico

Descrição

Transistor 2n5415 Metálico

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Especificações

Atributo do Produto Valor do atributo Pesquisar semelhantes

Fabricante: Microchip

Categoria de Produto: Transistores bipolares - BJT

RoHS: N

Estilo de montagem: Através do orifício

Embalagem / Caixa: TO-5-3

Polaridade do transistor: PNP

Configuração: Solteiro

Coletor - Tensão do Emissor VCEO Máx .: 200 V

Coletor - Tensão Base VCBO: 200 V

Emissor - Tensão Base VEBO: 6 V

Tensão de saturação do coletor-emissor: 2 V

Pd - Dissipação de energia: 10 W

Temperatura Mínima de Operação: - 65 C

Temperatura máxima de operação: + 200 C

Embalagem: Volume

Ganho de corrente DC hFE máx .: 120

Tecnologia: Si

Marca: Tecnologia Microchip

Corrente de coletor contínua: 1 A

Coletor DC / Ganho Base Hfe Min: 15

Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares

Subcategoria: Transistores

Unidade de peso: 400 mg

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